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蚀刻定位圆_刻蚀工艺步骤

作者:hacker发布时间:2022-07-12分类:黑客教程浏览:107评论:1


导读:导航:1、激光蚀刻原理2、金属蚀刻是用来做什么的?3、铜板蚀刻蚀刻时花纹总是很浅,而且就是这样,腐蚀的时间还挺长,约得一个小时,急,各位再不帮忙媳妇就跟人跑了4...

导航:

激光蚀刻原理

激光刻蚀技术原理

激光刻蚀的基本原理是将高光束质量的小功率激光束(一般为紫外激光、光纤激光)聚焦成极小光斑,在焦点处形成很高的功率密度,使材料在瞬间汽化蒸发,形成孔、逢、槽。其加工工艺包括激光微纳切割、划片、刻蚀、钻孔等。

激光刻蚀技术特点

激光刻蚀的特点是利用激光具有的无接触加工、柔性化程度高、加工速度快、无噪声、热影响区小、可聚焦到激光波长级的极小光斑等优越的加工性能,获得良好的钻孔、划片、刻蚀和切割尺寸精度和加工质量,尤其是与某些材料(如聚酰亚胺)相互作用是属于“光化学作用”的“冷加工”,可获得无碳化效果,在电子半导体材料加工中应用十分广泛。

元禄光电激光刻蚀参数表

紫外激光刻蚀技术典型应用

1)薄膜激光刻蚀应用

优点:

高重复率,高功率快速材料去除率无化学腐蚀对环境的污染

ITO镀膜激光刻蚀机是由激光对ITO Glass和ITO Film上的ITO镀膜实施电极刻蚀加工的精密设备。可在玻璃、PET基底上ITO镀膜、多晶膜和其他氧化物薄膜上大范围内进行各种图案,各种尺寸的精密、高速刻蚀,加工多种电极。尤其适用于手机触摸屏的电极刻蚀。

ITO玻璃激光刻蚀

2)太阳能电池激光划片应用

优点:

整机结构合理、划片速度快、精度高、功能全、合项性能指标稳定可靠,故障率低非接触加工加工成品率高,适用面广

操作简单方便,能24小时长期连续工作,节能环保

采用图形化用户界面(GUI),友好的人机界面,可实时显示切割轨迹,操作简单直观

可选配图像自动识别处理和定位功能

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。薄膜太阳能电池生产的流程:准备基板(TCO导电玻璃)——玻璃磨边——玻璃清洗——1064激光划线——二次清洗——装夹具升温预热——PECVD沉积非晶硅膜——冷却卸夹具——635激光划线——PVD磁控溅射AL——635激光划线——测试——老化——激光清边——三次清洗——焊电极线——层压——装边框。对薄膜太阳能电池进行激光划片,热影响区小,划线质量优越。无接触式加工避免刀片加工产生的应力,可以有效提高硅片改片的优等品率,同时对电池片划线质量也有很大的改善。可选配CCD图像处理系统,实现特殊规格电池片的精密划线。

金属蚀刻是用来做什么的?

部分被涂,深深铭刻涂装前的阳极氧化处理,或磷酸盐涂层的需要。我们的标牌设备采用独特的电标记技术,无任何腐蚀金属物品像外科-医疗器械,餐具,钻头,丝锥,工具,发动机阀,航空航天工业,曲柄销,卫浴五金,齿轮,轴承等;都可以标明使用金属蚀刻技术,我们能够标志着高品质的标志,简单的文本消息,零件号码,日期,序列号和其他必要的信息,直接到该产品-无论表面上是通过模具和电解液等消耗品。圆形或扁平。标记过程只需几秒钟的事。

标牌设备可以蚀刻玻璃。玻璃蚀刻和蒙砂是什么?答:自定义玻璃蚀刻可以变成普通的玻璃碎片和艺术品可以使普通的彩色玻璃碎片非凡。你可以个性化礼品定制自己的玻璃碎片。与玻璃蚀刻玻璃蚀刻的可能性是无穷无尽的。是打磨或粗糙的一块玻璃在选定的领域,以生产设计。它是一种“磨砂玻璃”的设计生产上的一块玻璃的表面,但它远不止于此!它也可以被用来雕刻成的玻璃深设计,或产生阴影的微妙祛除,但看起来像被永久铭刻在玻璃的设计。使用,它也可能以蚀刻或雕刻在石头上,陶瓷或木材,甚至以金属蚀刻设计!你很快就会同意,这是在很长一段时间,这个日子已经成为最好的新理念。所以没有更多的喷砂!!这样可以节省你的时间,精力和大量金钱。没有什么比这更容易。【返回】

铜板蚀刻蚀刻时花纹总是很浅,而且就是这样,腐蚀的时间还挺长,约得一个小时,急,各位再不帮忙媳妇就跟人跑了

铜板化学蚀刻液:选用较纯的三氯化铁配成30波氏度溶液,流动腐蚀。为了加快蚀刻速度,建议把铜板加热到50度左右。

下面介绍一种快速蚀刻方法(这个就是要注意在工作台上方安装一台抽风机,以吸收反应产生的有毒气体,保证人身安全):

铜牌蚀字

1.工具及原料:准备白铁剪刀一把,钢尺一把,划线钢针一把,火炉铬铁,焊锡、焊锡液,不干胶一卷刻刀一把毛笔一支,黑油手套一双,抛光膏一块,抛光机一台。

2.配方:蚀铜液:7份高浓度硝酸+3份高浓度盐酸焊锡液:9份盐酸+适量锌块

3.操作流程:

铜板的裁剪首先根据所需铜牌的设计大小在整张0.5MM~1.0MM的铜板上用钢针和直尺划出铜牌的大小尺寸方形,长方形或圆形、扇形等,然后按线裁剪下来,确定铜牌边框厚度和周长,均匀地按线剪下铜条,铜条也叫边带。

2.焊接边带我们把裁好的铜板周边焊上整卷的边带让其铜板显出厚度,如果铜板面积较大,我们还可以用增加焊接背面边带的经纬格来加强结构的合理性和牢固性,在准备焊接时首先把铜质做的溶铁放入火炉中加热,烙铁的形状是一头为尖形,一头为鸭嘴形,尖形的一方是在窄小的边带底角进行使用鸭嘴形的一方是焊宽松的边带,它为主焊,边带一定平齐铜板焊接,边焊边按边对齐焊接齐直角的时候,请不弯边带,应把它剪下来,按90°再焊另一条边带,这时比整条边带要弯成的90°要美得多,没有弧角,焊锡液用笔笔醮在焊缝两边,起到清洗铜板油污和助焊作用,增加焊接质量,焊毕边带用细花锉把毛边整理一下,到满意为止。

4.封团不干胶带,复写字样把焊毕边带的铜板表面除去油污,然后再局部或全部地封闭起来,把字样安放好,下面放上一张兰色或红色复写纸把原字复成双勾形体,然后用刻刀和钢尺把字雕空,并揭开线内字体(这是制凹字的做法)把全部要做的字都雕好后,这时由于刻刀力量的不均,字体的某些周边,会发生微小的松动,这时如果涂蚀铜液,蚀出的字肯定有毛边不齐,影响原件效果,所以雕毕空心字后,还应在火炉中微微地把铜板反面加点温让不干胶达到最大的粘度,再认真地用手压一遍胶带,排出空气,以免在蚀铜过程中发生胶带翘起,产生漏蚀现象,出现废品,凸字的制作方法与上述反之,把凸起的字体用胶带保护起来,进行大面积的蚀刻,上述讲的胶带就是封纸箱的黄色胶带。

5.化学蚀刻:上述工作进行完毕,把铜板均匀地加温至40C~50用手摸一摸有些发热时,就可用软毛刷醮上蚀铜液轻轻地在露白处醮上药水,铜板的温度要掌握好,过高化学蚀刻速度剧烈,在化学反应中它又产生热量容易把胶带热脱,起不到保护留存平面的作用,如果在生产过程中出现类似情况,应立即停止蚀刻,用清水冲洗干净重新按原体字形补上胶带,再来完成蚀刻过程,为了安全起见,以上过程,操作中应戴上平光眼镜防酸胶手套,而且人也应站在上风进行,切勿在窄小的室内进行操作,因气体有毒不易挥发,根据自己的要求和视板材料的厚度来蚀刻理想的深度,估计蚀刻时间为5~8分钟即可,用水冲洗后,如果深度和字体很理想,再揭去所有的胶带,一幅作品也就做好了。

6.初磨精抛:由于铜板在生产过程和存放过程中不同程度地受到空气和焊接边带时热加温的损害,表面产生薄薄一层金属的氧化层,我们采取初磨加工达到磨去氧化层,初磨的原料及代用品很多,有条件的单位或个人可用金相碾磨砂进行初磨,无条件的也可用燃过的煤灰过细筛用油或水调稀用布蘸着手工打磨,初磨的关键问题是除氧化层的时候一定不得在铜表面划上硬伤,影响精抛的质量,在选择初磨材料粉的时候应考虑两点,第一,初磨粉的目数在300目左右,第二该粉是不溶水的硬质粉类。如老粉,煤灰粉等都可作初磨用粉,精抛是在高运转的布轮子上或皮轮子上进行抛光处理,这时的铜板应擦上抛光膏,也可在布轮子上打上抛光膏,抛光膏是油性的在磨擦过程中产生的热量让油性物散开保护刚刚露出的新铜表面,隔离空气中的二氧化碳和湿度达到崭时表面不氧化的作用。

7.罩光处理罩光处理也就是封闭表面的过程,达到封闭和光亮的效果;从封闭金属表面的知识入手,就能掌握和了解成功与失败的原因,金属铜的氧化过程是多方因素引起的:1.铜表的铜分子溶易与空气中的二氧化碳中的碳分子结合并生氧化层,2.空气中的湿度,水分子也易与铜表附着,慢慢产生氧化,3、空气中的细菌微生物在繁殖过程中产生的生化物液也是产生铜表氧化的一个方面。以上这三点是铜表产生氧化的三大害,如果在罩光的过程中排除这三点那么保存的光洁度和质量就会大幅度提高,表面处理罩光前铜板一定除去油污,金属的清洁度直接影响保护层的质量,有油污的漆覆盖,漆与金属表面产生间隙,里面产生着空气与水、份的“空间”,造成氧化的机会和隐患。以上这些提到的问题,有些同志忽略了,所以做的铜字往往一两个月就被氧化了,先用无籽棉醮上丙酮,清洗抛光膏和杂物,再用白棉布醮丙酮擦,直到白布没有任何黑迹为止。擦干净的表面不得再用手指直接拿取,避免手上的汗气、细菌、盐份等污染铜表面产生氧化隐患这时的铜表表面附着很多水分子和碳分子,只是我们肉眼看不见罢了,我们用加温的办法让它脱离水分子,碳分子,铜板在烘箱中升温80C左右时,水分子,碳分子,细菌都不与表面接触,然后喷上烤漆,进行烘干过程,由于烤漆喷涂过程中,还有千万个微孔没有起到完全的封闭作用,所以必需进行第二次的再次喷闭。选用丙稀酸烘烤漆为最佳,它的特点是(1)光洁好硬度高,保光保色性好,(2)耐侯性和耐污性好(3)耐热耐水和防霉性好,附着力好(4)缺点是成本较高,并需烘烤成膜,常用的品种有B01—30烘干清漆,(高级轿车烘干清漆)用其他烤漆也可以,在热板的时候喷一般清漆也可,效果略差一些。8、安装外钉法:在焊边带时就留四角钉脚打或上膨胀罗丝。内挂法:在焊边带时四角并钻有凸形孔,以便在标准孔距的钉帽上挂紧至定位处。粘接法;在焊边带时留下内四角粘脚,涂上“立时得”即可粘好,外面临时加压20分钟。

芯片不做成圆的为啥是方的?为什么晶圆做成圆形?

我们知道,晶圆是圆的,但是晶圆做成的芯片却是方的,这主要是考虑到芯片制造时对晶圆的利用率,以及切割的方便,另外芯片做成方形,也更方便布线。

芯片为什么不是圆的?

芯片的基本材料是单晶硅,首先把单晶硅做成晶圆,然后用光刻和蚀刻等等技术把晶圆进行精密加工,再切割为成百上千块的芯片。

无论是电脑还是手机当中,芯片大多做成正方形,之所以做成方的而不是圆的,主要是考虑这么几个方面:

1、圆形芯片在切割晶圆时,对边角料的浪费很大,做成矩形(矩形包括了正方形),能使得边角料的浪费最少。

2、芯片本是拥有极高精度的产品,在进行晶圆切割时,直线切割最为方便,弧线切割对切割工具的要求很高,而且单晶硅的晶核本身就具有方向性,弧线切割容易把芯片边缘切坏。

3、矩形的芯片在布线和安装时更方便定位,如果做成圆形,由于圆具有任意角度的旋转对称性,在布线和安装时哪怕出现一个微小的角度偏差,都有可能导致错误。

4、电子产品具有很高的集成度,圆形芯片不利于整体电路板的布局。

当然,除了正方形外,正三角形和正六边形也能做到切割时始终是直线,而且不浪费边角料,但是芯片的研究、设计和制造,是经过几十年的技术迭代发展而来,最终选择了正方形的设计。

既然芯片是方的,为何晶圆又是圆的呢?

硅的熔点为1410℃,芯片用的单晶硅对纯度的要求极高,99.9999%纯度的硅可以用作太阳能光伏板,还远远不够芯片级别的要求,芯片对单晶硅的纯度要求至少是99.999999%,国内虽然有公司能够生产芯片级别的单晶硅,但产量还不能满足国内需求,很大一部分还需要进口。

高纯度的单晶硅使用切克劳斯基法(直拉法)进行制造,该方法使用石英坩埚把多晶硅融化,然后把温度保持在1500℃左右,然后用一个子晶放在坩埚中匀速旋转,同时坩埚反向旋转,并向上缓慢提起子晶,于是熔融状态的硅就会沿着子晶生长,最后形成一个圆柱形的硅锭,这个硅锭就是单晶硅,直径可达30厘米,长度可达1米。

然后我们把硅锭进行切片,就得到了晶圆,所以晶圆是圆形的,虽然圆形晶圆也会导致一部分边角料的浪费,但是晶圆尺寸远比芯片大,一张晶圆可以制作成百上千块芯片,所以浪费掉的晶圆边角料是可以接受的。

蚀刻法是什么?

蚀刻法(Etching)是指在硬面上通过用酸切割线条来制作设计或图画。

蚀刻通常在抛光的铜板或锌板上进行;也可以使用钢板、铁板或玻璃板。

蚀刻绘画方法:

准备蚀刻的一块板,先涂上一层防酸蜡,然后用坚硬的蜡球在加热的板上摩擦;当底板融化时,滚动着扩散,直至整块板的表面都均匀的涂上了蜡。然后用带有圆尖的蚀刻针在涂蜡的表面画出或描出需要的图案。当针划过,蜡被除去,露出金属。

完成画作后,将板浸在酸液中,通常是硝酸、荷兰腐蚀剂或氯化铁。酸侵蚀(咬掉,或蚀刻)刻线,但不会影响仍然被蜡覆盖着的金属部分。一旦认为被蚀刻的最细微的线条达到了一定深度,马上将板从酸液中取出,将线条涂上一层防酸的漆,称之为停蚀。将金属板再泡进酸浴中,进一步蚀刻未停蚀的线条。一块金属板可能要反复浸泡几次,让不同的线条停蚀,形成线条、阴影和色调。

当蚀刻过程完成后,除去其余的蜡层。金属板按照在铜板雕刻法中描述的相同方法制作和印刷。

径迹蚀刻

几种不同类型的地质物质适合裂变径迹年龄测定。Fleischer和Price(1964a)用不同的酸或碱淋洗液试验它们确定最有效的径迹观察。蚀刻过程的精确进行取决于基质的成分及酸的性质、浓度和温度。这能导致不同物质中被蚀刻径迹表现上的惊人变化(图9-3),并且可影响径迹计数的精度。这些问题在评价玻璃的裂变径迹定年中由Fleischer和Price(1964b)作了讨论。

图9-3 不同物质中由相同源(252Cf)诱发蚀刻径迹素描图

被蚀刻径迹的几何取决于相对于抛光面攻击的一般速率的向径迹轴(它与表面的相交)下的蚀刻速率(图9-4(a))。精确径迹计数中的一个问题是区分被蚀刻径迹与其他特征。例如,首先指出的是玻璃中的径迹坑,但是随着蚀刻时间的增加它们变得丰满。那么,最佳蚀刻时间折中于迅速计数所需要得到的大坑与大的圆底坑与蚀刻孔隙易混淆的趋势性。然而在矿物相中并不是这类问题。

玻璃和矿物定年的另一个误差来源是由很少记录于被蚀刻表面的径迹引起的。例如,几乎正切于表面的径迹可完全被蚀刻擦掉(图9-4(b))。其他的径迹可能没有与原始抛光表面相交,但在蚀刻期间由表面的总攻击被暴露出来。这些差别如果在大量的径迹以理想几何计数统计学上将会平均掉(见下),但当空间几何变化时可引起大的误差。

Fleischer和Price(1964a)估计了用不同类型物质裂变径迹分析的定年范围。当采用径迹密度至少为100根/cm2时,合理的精确定年标准才能确定,定年范围的低端据不同类型的铀含量物质可估计出(图9-5)。

图9-4 径迹蚀刻进程示意图

图9-5 据U含量不同类型地质物质裂变径迹分析定年范围图解

标签:蚀刻定位圆


已有1位网友发表了看法:

  • 访客

    访客  评论于 2022-07-12 15:29:45  回复

    线——二次清洗——装夹具升温预热——PECVD沉积非晶硅膜——冷却卸夹具——635激光划线——PVD磁控溅射AL——635激光划线——测试——老化——激光清边——三次清洗——焊电极线——层压——装边框。对薄膜太阳能电池进行激光划片,热影

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